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半導體製程問題
1. 為何晶圓在成長氧化層之前要作清洗動作？成長氧化層前清洗有那些步驟？2. 請列舉氧化層(oxide)在半導體製程中的主要用途，與此用途中所使用的製程技術，以及其氧化層厚度的主要範圍。3. 何為退火(annealing)？退火的目的何在?在半導體製程，請舉出兩個例子說明退火製程。4. 臨界尺寸（critical dimension，CD），其對製程中的元件影響為何。5.何謂磊晶製程，為何要使用磊晶技術。6.熱氧化法與化學氣相沉積法，成長氧化矽的方法有何不同。7.在積體電路製作電阻器，可以使用何種材料，並如何得到所設計的電阻值8.在製作高容量電容器元件中，有哪一些方法可以達到。
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